IGBT缓冲吸收电容器

产品型号:

(1)MKPS-TE(2)MKPS-P(3)MKPS-TC

产品详情

1MKPS-TE

额定电压:630~4000Vdc

电容量范围:0.0068μF~10μF

极间:1.5Un(Vdc)/10s

特点:迈拉胶带封装,阻燃环氧树脂注塑,镀锡铜线引出,方便安装;无感式结构,ESL低、ESR小,高脉冲电流,高DV/DT承受能力;耐压高,损耗小,温升低,寿命长等特点。

适用范围:IGBT缓冲吸收;广泛应用于电力电子设备中开关器件关断时的尖峰电压,尖峰电流吸收保护。

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2MKPS-P

额定电压:630~4000Vdc

电容量范围:0.0068μF~10μF

极间:1.5Un(Vdc)/10s

特点:塑料外壳封装,阻燃环氧树脂灌注;镀锡铜插片引出,方便IGBT各种孔距安装;耐高压,损耗小,温升低;自感(ESL)小,等效串联电阻(ESR)小;高脉冲电流,高dv/dt承受能力。

适用范围:IGBT缓冲吸收;广泛应用于电力电子设备中开关器件关断时的尖峰电压,尖峰电流吸收保护。

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3MKPS-TC

额定电压:3000~20000Vdc

电容量范围:0.068μF~3μF

极间:1.35Un(Vdc)/10s

特点:迈拉胶带封装,阻燃环氧树脂注塑;镀锡铜线,铜螺母引出,方便安装;无感式结构,ESL低、ESR小,高脉冲电流,高DV/DT承受能力;耐压高,损耗小,温升低,寿命长等特点。

适用范围:IGBT缓冲吸收;广泛应用于电力电子设备中开关器件关断时的尖峰电压,尖峰电流吸收保护。

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