平面栅金属氧化物半导体场效应管(Planar MOSFETs)

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平面栅金属氧化物半导体场效应管(Planar MOSFETs)

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VDSS(V):-300~1500

ID(A)0.17~90

VGS(th) (V)Min:-1.7~3.0

Typ:0.6~4.0

Max:-2.55~5.0

    RDS(ON)(Ω)@ VGS=10V:Typ:0.019`8

    Max:0.023~8

    应用:高频开关模式电源;电子镇流器;