参数：

Density：64KB 128KB 256KB 512KB 8KB 16KB 32KB 1MB 2MB

Max CLK：5Mhz  15Mhz

Vcc：1.65V~3.6V   1.7V~5.5V  

Temp：-40℃~105℃ -40℃~85℃

Cycle:1M 4M 10M

Retention:200Y 100y

ESD:2kv

Package:USON6(1.2*1.2*0.45),SOP8(150mil),TSSOP8SOP8(150mil) USON8(3*2*0.45),USON8(3*2*0.55)

Status:MP NR

特点：字节 / 页写入时间小于 5ms，有可锁定页面、额外序列号、硬件控制锁定受保护扇区、透明 ECC 可纠 1 位错、高可靠性。耐用性达 400 万次写入周期，数据保留 200 年，闩锁能力为 6kV +/- 200mA（25°C）。

（2）I²C EEPROM

参数：

Density：2KB 4KB 8KB 64KB 128KB 256KB 512KB 8KB 16KB 32KB 1MB 2MB

Max CLK：5Mhz  15Mhz 1Mhz 3.4Mhz

Vcc：1.7V~5.5V   1.65V~3.6V  

Temp：-40℃~105℃ -40℃~85℃ -40℃~125℃

Cycle:1M 4M 10M

Retention:200Y 100y

ESD:2kv

Package:USON6(1.2*1.2*0.45),SOP8(150mil),TSSOP8SOP8(150mil) USON8(3*2*0.45),USON8(3*2*0.55)

Status:MP NR

特点:施密特触发器及噪声抑制过滤输入，具备顺序和随机读取特性、页面写入模式（允许部分页面写入）、全内存阵列写保护、自定时写入周期（最大 5ms）。

（3）CCM

参数：

Density：2KB 4KB 8KB 16KB 32KB 128KB 256KB 512KB 1MB 2MB

Max CLK：1Mhz 3.4Mhz 5Mhz

Vcc：1.7V~5.5V   1.65V~3.6V

Temp：-40℃~85℃

Cycle:1M

Retention:100Y

ESD:2kv 4kv

Package:USON6(1.2*1.2*0.45),SOP8(150 mil),TSSOP8  SOP8(150 mil) USON8(3*2*0.45),USON8(3*2*0.55)

Status:MP

（4）WLCSP

参数：

Density：64KB 128KB 256KB

Max CLK：1Mhz 3.4Mhz

Vcc：1.7V~5.5V   1.65V~3.6V    1.1V~2.0V

Temp：-40℃~85℃

Cycle:1M 100K

Retention:200Y 100y

ESD:2kv

Package:WLCSP 0.5*0.5 6 Ball WLCSP 0.433*0.5 8Ball WLCSP 1*0.5 8Ball

Status:MP NR

应用：‌智能卡；‌传感器节点；‌工控设备；‌汽车电子；‌消费电子‌