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小信号MOSFETs
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产品详情
参数:PD:0.15~3W V(BR)DSS:-60~600V;ID:-0.5~3.3A
特点:高输入阻抗,低输出阻抗,线性小信号特性,跨导和输出电导
应用:音频放大器,射频电路,模拟开关,工业控制,汽车电子,高频通信系统
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