平面高压MOS

产品型号：

N通道

索取样品

返回列表

产品详情

参数：PD：25~500W  V(BR)DSS：500V、900V；ID：4.5~80A   RDS(on)：22~9300mΩ

特点：较高的击穿电压、较高的导通电阻

应用：高频和高电压电源供应、消费电子和汽车电子、功率逆变器、电机驱动

相关产品