中低压功率MOS

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N通道、P通道

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参数：PD：0.15~600W  V(BR)DSS：-100~600V；ID：-160~320A

特点：低导通电阻，快速开关时间，低输入电容，低门极电荷，高耐压特性，低漏电流

应用：汽车电子，网络通信，工业电源，消费电子，移动电源和适配器

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