IGBT光耦系列

参数：

封装: DIP8 LSO6 SO-5 SOP8

封装尺寸:9-68*6.5*3.5 6.81*4.5*3.18 4.4*2.54*2.00 9.68*6.5*3.48

高电平输出电流High Level Output Current （A）:2min/1min/2/0.6/3/4/1

低电平输出电流Low Level Output Current（A）:-2min/-1min/-2/0.4/-3/4/-1/2.5/3

隔离电压（Vrms）:5000/3750/2500

共模抑制比CMR(KV/us）:20/35/15

触发电流IFT；5/3

tPHL:300MAX/200MAX/500MAX/150MAX

TPLH:300MAX/200MAX/500MAX/150MAX

工作温度℃:-40 ~ + 110/-40 ~ + 105/-20~ + 85

特点：

（1）VCM = 1500V 时最小共模抑制 （CMR） 为 25 kV/μs

（2）宽 VCC 工作范围：整个温度范围内为 10V 至 30V

（3）采用拉伸 SO-6 封装 （11） 工业温度范围：-40°C 至 105°C

（4） 安全认证 UL 认证（No.E323844） VDE 认证（No.40029733） CQC 认证（No.CQC19001231480）

（5）符合 RoHS、REACH 标准

（6） MSL 级别

应用：

（1） IGBT/MOSFET 栅极驱动器

（2）  AC/无刷直流电机驱动器

（3） 工业逆变器

（4） 开关模式电源

（5） 等离子显示面板

（6） 晶体管逆变器  

（7） 开关电源

（8） 功能示意图

（9） 交流和无刷直流电机驱动器

（10） 家用电器逆变器

（11） 电磁炉