参数：

芯片高度（um):230±15μm/215μm±20μm/180±30μm等型号

顶部尺寸（um）:174*174/210**210等数值

底部尺寸（um）:204*204/245*245/230*230等数值

Fowarrd Voltage V:1.3@20mA/1.40@20mA等数值

Luminous Intensity Po:0.5@20mA/0.9@20mA等数值

焊盘尺寸105μm±10μm/100μm±10μm等数值

峰值波长Peak wavelength（nm）min:940typ/575/613等数值

峰值波长Peak wavelength（nm）max:940typ/575/613等数值

Reverse current 反向电流（uA）:5min（IR=10uA/30max(Vr=5V)/10max（Vr=5V）等数值

Reverse voltage 反向电压 （V）min：5V (IR=10uA）

特点：

MesaType：粗糙表面

电极：

P（阳极）面： 金合金/铝合金

N（阴极）面：金合金/骆合金

应用：

本规范适用于 GaAlAs/GaAs 红外发射二极管芯片