参数：

芯片高度（um):600*600±30/670±30/890*890±30等

芯片厚度(um):600±30/670±30/280±30/3 00± 25μm等

有效面积(um):460*460/540*540/820*820等数值

Fowarrd Voltage V:＜1.3

Luminous Intensity Po:＞10 ＞14 ＞35等

Reverse Dark Current(nA)：<10

焊盘尺寸105μm±10μm/100μm±10μmReverse Dark Current(nA) 等数值

峰值波长:940typ

Junction CapacitancepF：3yp 4yp 7yp  12yp 13yp

特点：

NIP计划类型：l

顶部（阴极）侧面：铝（Al）合金。

背面（阳极）侧面：银（Ag）合金

应用：

该规范适用于 NIP 硅光电二极管芯片。