ORT010SRK

参数:

芯片高度（um):230±15μm

顶部尺寸（um）:174*174/210**210

底部尺寸（um）:204*204/245*245/230*230

Fowarrd Voltage V:1.3@20mA/1.40@20mA

Luminous Intensity Po:0.5@20mA/0.9@20mA

焊盘尺寸105μm±10μm/100μm±10μm

峰值波长Peak wavelength（nm）min: 940typ

峰值波长Peak wavelength（nm）max:940typ

Reverse current 反向电流（uA）:5min（IR=10uA

特点：

MesaType：粗糙表面

电极：

P（阳极）面： 金合金/铝合金

N（阴极）面：金合金

应用：

本规范适用于 GaAlAs/GaAs 红外发射二极管芯片。