（1）ORT010SRK

参数：

芯片高度（um):180±30

顶部尺寸（um）:170*170

底部尺寸（um）:180*180

Fowarrd Voltage V:＜2.20@20mA

Luminous Intensity Po:＞8@20mA

焊盘尺寸（um:640-650

特点：

MesaType：粗糙表面

电极：

N（阳极）侧：铝合金。

P（阴极）面：金合金。

应用：

该规范适用于 GaAlAs/GaAs 红光 LED 芯片。

（2）ORTXXX

参数：

芯片高度（um):250±30μm/240±30μm/210±30μm/220±30μm

顶部尺寸（um）:140*140/165*165/160*160/140*140

底部尺寸（um）:165*165/190*190/155*155

Fowarrd Voltage V:＜2.6V@20mA

Luminous Intensity Po:＞0.3@5mA/＞6mcd@20mA/＞7mcd@20mA/＞5.5@20mA

焊盘尺寸95μm±10μm/90μm±10μm/92μm±10μm

峰值波长Peak wavelength（nm）min: 620 568 569

峰值波长Peak wavelength（nm）max:650 575 574 685

Reverse current 反向电流（uA）:max10max（VR=5V）

特点：

MesaType：粗糙表面

电极：

P（阳极）面： 金合金/铝合金

N（阴极）面：金合金/骆合金。

应用：

该规范适用于 GaAlAs/GaAs 红光 LED 芯片。